در میان مواد مطرح در حوزهی فتوولتائیک،ترکیب کالکوپیریتی CuInS2 با گاف انرژی مستقیمeV53/1، ضریب جذب بالاوپایداری در دراز مدت، به عنوان یک ماده امیدبخش مطرح شده است. یکی از پارامترهای محدودکنندهی تولید انبوه این سلولها، کمیاب بودن عنصر Inاست که لازم است با عناصر دیگر جایگزین شود.از طرف دیگر سلولهای خورشیدی تک اتصال بهینه، دارای گاف انرژی در محدودهی eV3/1-1 معادل طول موجnm1250-950هستند. در این تحقیق، سنتز ترکیب CuInS2 وجانشینسازی بخشی از عنصر ایندیم با عنصرفراوان آهن بررسی شده است. بدین منظور، ترکیبات محلولجامدCuIn1-xFexS2 به روش ساده و تکمرحلهای پولیول سنتز گردید. تکنیکهای پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) و طیفنگاری تونلی (STS) جهت بررسی بهکارگرفته شد. نتایج، افزایش بلورینگی ذرات و کاهش ابعاد سلول واحد را با افزایش آهن تا مقدار 15/0= x، نشان داد. با افزایش بیشتر مقدار آهن، ضمن کاهش بلورینگی، تشکیل فازهای ناخالصی FeS، CuFeS2 مشاهده شد. بر اساس تغییرات چگالی حالات، جانشینسازی آهن منجر به افزایش حاملها و ایجاد هدایت نوع pگردید.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميکهاي زیستی (بیوسرامیکها) دریافت: 1394/6/1 | پذیرش: 1394/6/1