ramezani A H, asgary S, ebrahiminezhad Z. The Effects Of Interfacial Roughness On The Argon Ion Implanted Tantalum Films. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2022; 11 (2) :82-93
URL:
http://ijcse.ir/article-1-896-fa.html
رمضانی امیر هوشنگ، عسگری سمیه، ابراهیمی نژاد ژاله. بررسی و مطالعه اثر ترابردی بر ناهمواری سطح تانتالوم با استفاده از کاشت یون پرانرژی آرگون. علم و مهندسی سرامیک. 1401; 11 (2) :82-93
URL: http://ijcse.ir/article-1-896-fa.html
1- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران غرب - گروه فیزیک ، ramezani.1972@gmail.com
2- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران غرب - گروه فیزیک
چکیده: (1113 مشاهده)
در مطالعه حاضر، اثر ناهمواری فصول مشترکی که در اثر کاشت یونی بر روی سطوح پایه تانتالوم تولید شده اند بررسی شده است. یون های آرگون با انرژی 30 کیلو الکترون ولت و در دزهای1017×1 تا و 1017×10 (یون بر سانتی متر مربع) استفاده شده است. میکروسکوپ نیروی اتمی برای توصیف ریخت شناسی سطح استفاده شده است . تاثیر ناهمواری لایه های نازک تولید شده از طریق کاشت یونی، هدف از تحقیق میزان احتمال انتقال الکترونی در تانتالوم است. با بمباران یون آرگون تغییر قابل توجهی در نمونه ها رخ میدهد از جمله ناهمواری، اندازه دانه، توزیع آن برای نمونه کاشته نشده و نمونه های کاشته شده .سهم اجزای پراکنده احتمال انتقال نمونههایی که با دزهای پایینتر یون کاشته شدهاند، غالبتر از موارد کاشتهشده توسط دزهای بزرگتر است. همچنین بر اساس نتایج با افزایش دز یونی، چگالی جریان لایه های نازک افزایش می یابد. یکی از اثرات اصلی ناهمواری، کاهش احتمال عبور است. نتایج نشان میدهد که میزان پراکندگی به واسطه فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون آرگون بیشتر است. به علاوه محاسبات چگالی جریان نتایج مذکور را تایید نموده و میزان چگالی جریان مولفههای پراکنده شده فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون کمتر است.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
نانو مواد دریافت: 1400/11/25 | پذیرش: 1400/5/10