دوره 2، شماره 1 - ( بهار 1392 )                   جلد 2 شماره 1 صفحات 0-0 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Electrical properties of the (1-x)BNT-xBKT system near morphotropic phase boundary. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2013; 2 (1)
URL: http://ijcse.ir/article-1-104-fa.html
موسوی اعظم، بهره ور محمد علی، آقایی علیرضا. بررسی خصوصیات الکتریکی پیزو سرامیک های بدون سرب تیتانات بیسموت سدیم پتاسیم در نزدیکی مرز فازی مورفوتروپیک. علم و مهندسی سرامیک. 1392; 2 (1)

URL: http://ijcse.ir/article-1-104-fa.html


1- ، Az_moosavi@yahoo.com
چکیده:   (12204 مشاهده)
پیزوسرامیک بدون سرب TiO3 Bi0.5 (Na1-xKx) 0.5 با نام مختصر BNKTx با مقادیر مختلف پتاسیم 24/0، 22/0، 20/0، 18/0x= به روش سنتز حالت جامد تهیه شد. بررسی فازی نمونه ها توسط پراش اشعه x نشان داد که تمامی ترکیب ها دارای ساختار پروسکایت خالص می باشند. در ادامه خصوصیات دی الکتریکی، فروالکتریکی و پیزوالکتریکی نمونه ها تعیین شد. افزایش مقدار پتاسیم سبب کاهش دمای قطبش زدایی Tdدر نمونه ها می شود. اندازه گیری حلقه پسماند در دمای اتاق نشان داد که بیشترین مقدار میدان وادارنده و قطبش پس ماند به ترتیب در نمونه های 18/0x= و 20/0x= بدست آمد. بررسی کرنش در میدان الکتریکی در دمای اتاق برای تمام نمونه ها انجام شد و بیشترین مقدار کرنش در نمونه 20/0x= برابر 13/0 درصد حاصل شد. کرنش در دمای نزدیک Td به مقدار بسیار بالای 36/0 درصد در نمونه 20/0x= رسید. بهترین خصوصیات دی الکتریکی و پیزوالکتریکی در نمونه 20/0x= نشان داد که ترکیب مذکور همان ترکیب مرز فازی مورفوتروپیک MPB در این سیستم می باشد.
متن کامل [PDF 1275 kb]   (3292 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: كاشي، چيني، لعاب، رنگدانه و جوهر
دریافت: 1392/6/9 | پذیرش: 1392/6/9

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.