fa ریزساختار و خواص لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) تهیه شده در دستگاه کند و پاش مغناطیسی واکنشی سراميک‌هاي زیستی (بیوسرامیک‌ها) Bioceramics پژوهشي Research <div style="text-align: justify;"><span style="font-size:12px;"><span style="font-family:Tahoma;">لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) در سیستم کند و پاش مغناطیسی جریان مستقیم تهیه شدند. به منظور دستیابی به فازهایمختلف از اکسید وانادیم، نمونه ها تحت دماها و اتمسفرهای مختلف آنیل شدند. در ابتدالایه های نازک اکسید وانادیم(VOx)بدست آمده در دو دمای مختلف 450 و 500oC آنیل شدند. هر دو لایه شامل ترکیبی از فازهای VO2(M) و V2O5 بودند. فاز غالب در دمای 450oC فاز VO2(M) بود که در دمای 500oC به فاز V2O5 تبدیل شد. در مرحله ی بعد لایه های نازک اکسید وانادیم)(VOx در دو فشار 2 و 5 torr در دمای 450oC آنیل شدند.نتایج حاصل نشان داد که فشار لایه نشانی تاثیر چندانی بر ساختار کریستالی پوشش نهایی ندارد در عوض لایه نازک اکسید وانادیم )(VOxتهیه شده تحت فشار کندو پاش پایینتر دارای اندازه دانه کوچکتر و مقادیر سختی و مدول یانگ بالاتر بود. سپس اثرات اتمسفر آنیل بر ریزساختار و خواص لایه های نازک اکسید وانادیم)(VOx تهیه شده در فشار کندوپاش 2 torr و آنیل شده در دمای 450oC مورد بررسی قرار گرفت. اتمسفر آنیل تاثیر چندانی بر ساختار کریستالی لایه ها نداشت و هر دو لایه شامل مخلوطی از فازهای VO2(M) و V2O5 بودند. احتمال آن می رود که بخشی از فازهای شکل گرفته در سیستم به صورت آمورف باشند. لایه نازک اکسید وانادیم)(VOx آنیل شده تحت اتمسفر اکسیژن دارای اندازه دانه کوچکتر و خواص مکانیکی بهتر بود. نتایج حاصل از مطالعه حاصل نشان داد که شرایط لایه نشانی و آنیل تاثیر به سزایی بر ریزساختار و خواص مکانیکی لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) دارند.</span></span></div> Vanadium oxide (VOx) thin films prepared in a direct current magnetron sputtering system. In order to get different vanadium oxide phases the films anneled under different temperature and atmospheres.At first vanadium oxide (VOx) thin films annealed at two temperatures of 450 and 500oC. Mixed structure of VO2 and V2O5 phases formed in both samples while VO2 phase was the main phase at 450oC and changed to V2O5 phase at annealing temperature of 500oC. In the next step vanadium oxide (VOx) thin films prepared under two sputtering pressures of 2 and 5 torrand then annealed at 450oC. The results revealed that sputtering pressure doesnot have a big impact on crystal structure of vanadium oxide thin films. However, vanadion oxide thin films that prepared at lower sputtering pressure shows smaller grain size and higher hardness and Young,s modulus. Then the effects of annealing atmosphere (air and oxygen atmospheres) on microstructure and properties of vanadium oxide thin films that prepared at sputtering pressure of 2 torr and anneled at 450oC was investigated. It was shown that annealing atmospheredoesnot affect crystal structure of the films while mixed structure of VO2 and V2O5 in both samples.There is a possibility that some phases have been formd in amorphous. Vanadium oxide (VOx) thin film which anneled under oxygen, showed smaller grain size and better mechanical properties. The results of current study showed that deposition and annealing conditions have a big impact on microstructure and mechanical properties of vanadium oxide (VOx) thin film. کند و پاش مغناطیسی,اکسید وانادیم(VOx) , دمای آنیل, فشار کندوپاش, اتمسفر آنیل, لایه نازک, ریزساختار. magnetron sputtering, vanadium oxide(VOx), annealing temperature, sputtering pressure, annealing atmosphere, thin film, microstructure 0 0 http://ijcse.ir/browse.php?a_code=A-10-206-3&slc_lang=fa&sid=1 سارا خمسه 10031947532846003353 10031947532846003353 Yes حسام الدین عراقی 10031947532846003354 10031947532846003354 No مهدی قهاری 10031947532846003355 10031947532846003355 No اکبر رفیعی 10031947532846003356 10031947532846003356 No محمدعلی فقیهی ثانی 10031947532846003357 10031947532846003357 No