fa بررسی اثر ولتاژ بایاس بر مشخصه‌های ساختاری و مکانیکی لایه نازک کربن شبه الماس اعمال شده توسط فرایند رسوب‌دهی پرتو یونی سراميک‌هاي زیستی (بیوسرامیک‌ها) Bioceramics پژوهشي Research <div style="text-align: justify;"><span style="line-height:2;"><span style="font-size:12px;"><span style="font-family:Tahoma;"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span lang="FA">در این پژوهش اثر ولتاژ بایاس بر تغییرات ساختاری لایه نازک کربن شبه &shy;الماس &nbsp;ایجاد شده توسط فرایند رسوب&shy;&shy;دهی پرتو یونی مورد بررسی قرار گرفته &shy;است. برای این منظور، پارامتر ولتاژ بایاس در مقادیر&shy; </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">0، </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">50- ، </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">100- و </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">150- روی زیرلایه آلیاژ آلومینیوم </span><span dir="LTR">AA5083</span> &nbsp;در نظر گرفته شد. <span lang="FA">جهت ارزیابی تغییرات ساختاری از طیف&shy;سنجی رامان استفاده شد.</span> <span lang="FA">همچنین جهت تاثیر ولتاژ بایاس بر ضخامت و زبری سطح پوشش&shy;های اعمالی، از میکروسکوپ نیروی اتمی (</span><span dir="LTR">AFM</span><span lang="FA">) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (</span><span dir="LTR">FESEM</span><span lang="FA">) نیز استفاده گردید. سختی و مدول الاستیک توسط آزمون نانوسختی&shy;سنجی اندازه&shy;گیری شد. نتایج آنالیز رامان نشان&shy;دهنده بیش&shy;ترین میزان پیوندهای </span><span dir="LTR">sp³</span><span lang="FA"> در لایه نازک کربن شبه الماس در ولتاژ بایاس </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">50- بود و با افزایش ولتاژ بایاس، مقدار پیوندهای </span><span dir="LTR">&nbsp;sp³</span><span lang="FA"> کاهش پیدا کرد.&nbsp; نتایج آنالیز </span><span dir="LTR">AFM</span><span lang="FA"> گویای کم&shy;ترین میزان زبری سطح لایه (</span><span dir="LTR">nm</span><span lang="FA"> 10) در ولتاژ بایاس </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">50- بود. &nbsp;با توجه به این که میزان پیوندهای </span><span dir="LTR">sp³</span><span lang="FA"> در ولتاژ بایاس </span><span dir="LTR">V</span><span lang="FA">50- در حداکثر مقدار خود قرار داشت، سختی در این مقدار ولتاژ بایاس نیز نسبت به ولتاژهای دیگر بالاتر و برابر </span><span dir="LTR">GPa</span> 1/14بود.<span dir="LTR"><span style="font-family:"Times New Roman","serif""></span></span></span></span><br> <br> <br> &nbsp;</span></span></span></div> <div style="text-align: justify;"><span style="line-height:2;">This study, investigates the effect of bias voltage on structural changes of diamond-like carbon thin film created by ion beam deposition is investigated. For this purpose, the bias voltage in the values of 0 V, -50 V, -100 V and -150 V on the AA5083 aluminum alloy was considered. Raman spectroscopy was used to evaluate structural. Influence of the bias voltage on the thickness and roughness of coatings by atomic force microscope (AFM) and field emission scanning electron microscope (FESEM) were investigates. Hardness and elastic modulus were measured by nanoindentation test. The results of Raman analysis showed the highest amount of sp3 bonds in the diamond-like carbon thin film at bias voltage of -50 Vs. results of AFM showed the lowest of surface roughness (10 nm) at bias voltage of -50 Vs. The hardness of diamond-like carbon thin film was 14.1 GPa at the bias voltage of -50 Vs. </span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="font-family:"Times New Roman","serif""></span></span><br> <em><span style="line-height:2;"><span style="font-family:Tahoma;">&nbsp;</span></span></em></div> کربن شبه ‌الماس, ولتاژ بایاس, رسوب‌دهی پرتو یونی, آلیاژ آلومینیوم AA5083 Diamond Like Carbon, Biase Voltage, ion beam deposition, AA5083 aluminum alloy. 58 69 http://ijcse.ir/browse.php?a_code=A-10-579-2&slc_lang=fa&sid=1 masoud sarvari مسعود سروری masoudina1993@gmail.com 10031947532846004545 10031947532846004545 No Malek ashtar university of technology دانشگاه صنعتی مالک اشتر seyed hojjatollah hosseini سید حجت اله حسینی nnshosseini@mut.ac.ir 10031947532846004546 10031947532846004546 Yes Malek ashtar university of technology دانشگاه صنعتی مالک اشتر Mohammadreza Ebrahimi Fordoei محمدرضا ابراهیمی فردوئی mr.ebrahimi.f@gmail.com 10031947532846004547 10031947532846004547 No Malek ashtar university of technology دانشگاه صنعتی مالک اشتر saeid mersagh dezfuli سعید مرساق دزفولی saeed.m.dezfooli@gmail.com 10031947532846004548 10031947532846004548 No , Malek Ashtar University of Technology دانشگاه صنعتی مالک اشتر