<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Iranian Journal of Ceramic Science &amp; Engineering</title>
<title_fa>علم و مهندسی سرامیک</title_fa>
<short_title>Iranian Journal of Ceramic Science &amp; Engineering</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://ijcse.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2322-2352</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2322-2352</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii></journal_id_pii>
<journal_id_doi></journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai></journal_id_nlai>
<journal_id_science>3/233200</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1402</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2023</year>
	<month>5</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>12</volume>
<number>1</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب  SnBi2Te4</title_fa>
	<title>Ab-initio Calculation of Structural and Electronic Properties of Topological Insulator SnBi2Te4</title>
	<subject_fa>سراميک‌های مورد استفاده در محيط زیست، آب و انرژی</subject_fa>
	<subject>Ceramics used in the Environment, Water and Energy</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:2;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12px;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Tahoma;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;direction:rtl&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span lang=&quot;AR-SA&quot;&gt;در این تحقیق ویژگی&#8204;های الکترونی و ساختاری عایق توپولوژی&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;SnBi&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;Te&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;&lt;span style=&quot;direction:rtl&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span lang=&quot;AR-SA&quot;&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative&quot;&gt;&lt;span style=&quot;top:5.0pt&quot;&gt; &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل با بسته نرم افزاری &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;Wien2k&lt;/span&gt; &lt;span lang=&quot;AR-SA&quot;&gt;محاسبه شده است. گاف نواری انبوهه با تقریب &lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative&quot;&gt;&lt;span style=&quot;top:2.0pt&quot;&gt;PBE&amp;nbsp; &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt;برابر با 0.36 الکترون&#8204;ولت&lt;/span&gt; &lt;span lang=&quot;AR-SA&quot;&gt;و با تقریب&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative&quot;&gt;&lt;span style=&quot;top:2.0pt&quot;&gt; LDA &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt;برابر با 0.22 الکترون&#8204;ولت &lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;AR-SA&quot;&gt;به دست آمده است و نشان می دهد که این ماده می&#8204;تواند برای کاربردهای الکترونیکی در دمای اتاق مناسب باشد. نتایج به دست آمده با دیگر داده&#8204;های موجود سازگاری دارد.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;/div&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:2;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12px;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Tahoma;&quot;&gt;We report the electronic, structural and optical properties of topological insulator SnBi&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;Te&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt; calculated by means of linear augmented plane waves with full potential (FP-LAPW) within the framework of density functional theory (DFT) implemented in Wien2k code. Bulk band gaps of 0.36eV and 0.22eV are predicted by using PBE and LDA approximations, respectively. These gaps indicated that SnBi&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;Te&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt; is potentially suitable for room temperature electronics applications. The results are in accordance with other works.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/div&gt;</abstract>
	<keyword_fa>عایق توپولوژی, نظریۀ تابعی چگالی, گاف نواری</keyword_fa>
	<keyword>Topological insulator, Density functional theory, Band gap</keyword>
	<start_page>1</start_page>
	<end_page>11</end_page>
	<web_url>http://ijcse.ir/browse.php?a_code=A-10-393-17&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Hamdollah</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>salehi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>حمدا..</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>صالحی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>salehi_h@scu.ac.ir</email>
	<code>10031947532846004734</code>
	<orcid>10031947532846004734</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Shahid Chamran University of Ahvaz</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه شهید چمران اهواز</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Naser</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Ebrahimi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>ناصر</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>ابراهیمی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>salehihamid@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846004735</code>
	<orcid>10031947532846004735</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Shahid Chamran University of Ahvaz</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه شهید چمران اهواز</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
