دوره 10، شماره 1 - ( بهار 1400 )                   جلد 10 شماره 1 صفحات 85-71 | برگشت به فهرست نسخه ها

‎ 20.1001.1.23222352.1400.10.1.6.1

XML English Abstract Print

بررسی مقاومت به رفتگی دما بالای پوشش های دو لایه SiC/ZrB2 با ساختار تدریجی اعمال شده به روش پاشش پلاسمایی محافظت شده با گاز آرگون تحت شعله پروپان
شهلا ترابی، ناصر احسانی، ضیاء والفی*1
1- ، valefi@mut.ac.ir
چکیده:   (1230 مشاهده)
در این پژوهش پوشش دو لایه  SiC/ZrB2 به روش رخنه­دهی و پاشش پلاسمایی بر روی گرافیت اعمال شد و رفتار رفتگی آن در شرایط شعله پروپان مورد بررسی قرار گرفت. پوشش میانی SiC با استفاده از روش رخنه­دهی و در بستری از پودرهای Al2O3, C ,Si در دمای °C1600 و در اتمسفر گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی اعمال گردید. بررسی میکروسکوپی و فازی تشکیل پوشش تدریجی SiC با ضخامت تقریبی  μm600 همراه با شیب غلظتی عناصر Si  وC در ضخامت پوشش را تائید می­نماید. لایه دوم ZrB2 ، به کمک فرآیند پاشش پلاسمایی تحت دوش محافظ گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی حاوی پوشش تدریجی SiC لایه­نشانی شد. مشخصه‌های ساختاری پوشش ‌ZrB2 با استفاده از SEM، مورد ارزیابی قرار گرفت. مطالعات انجام شده نشان داد که پیوندهای مکانیکی در فصل مشترک پوشش- زیرلایه به خوبی برقرار شده و هیچگونه ترک و ناپیوستگی در پوشش مشاهده نشد. نتایج آزمون رفتگی نشان داد که این پوشش مقاومت خوبی در برابر رفتگی ناشی از شعله پروپان دارد. نرخ رفتگی جرمی پوشش پس از آزمون رفتگی g/cm-2.s-1 3-10 × 3/1-  محاسبه شد.
واژه‌های کلیدی: رخنه‌دهی، ساختار تدریجی، دی‌بورید زیرکونیم، پاشش پلاسمایی، رفتگی
متن کامل [PDF 3168 kb]   (305 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: كاشي، چيني، لعاب، رنگدانه و جوهر
دریافت: 1400/4/20 | پذیرش: 1400/4/10
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.