AU - ramezani, amir hoshang AU - asgary, somayeh AU - ebrahiminezhad, zhaleh TI - The Effects Of Interfacial Roughness On The Argon Ion Implanted Tantalum Films PT - JOURNAL ARTICLE TA - ijcse JN - ijcse VO - 11 VI - 2 IP - 2 4099 - http://ijcse.ir/article-1-896-fa.html 4100 - http://ijcse.ir/article-1-896-fa.pdf SO - ijcse 2 AB  - در مطالعه حاضر، اثر ناهمواری فصول مشترکی که در اثر کاشت یونی بر روی سطوح پایه تانتالوم تولید شده اند بررسی شده است. یون های آرگون با انرژی 30 کیلو الکترون ولت و در دزهای1017×1 تا و 1017×10 (یون بر سانتی متر مربع) استفاده شده است. میکروسکوپ نیروی اتمی برای توصیف ریخت شناسی سطح استفاده شده است . تاثیر ناهمواری لایه های نازک تولید شده از طریق کاشت یونی، هدف از تحقیق میزان احتمال انتقال الکترونی در تانتالوم است. با بمباران یون آرگون تغییر قابل توجهی در نمونه ها رخ می­دهد از جمله ناهمواری، اندازه دانه، توزیع آن برای نمونه کاشته نشده و نمونه های کاشته شده .سهم اجزای پراکنده احتمال انتقال نمونه‌هایی که با دزهای پایین‌تر یون کاشته شده‌اند، غالب‌تر از موارد کاشته‌شده توسط دزهای بزرگ‌تر است. همچنین بر اساس نتایج با افزایش دز یونی، چگالی جریان لایه های نازک افزایش می یابد. یکی از اثرات اصلی ناهمواری، کاهش احتمال عبور است. نتایج نشان می­دهد که میزان پراکندگی به واسطه فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون آرگون بیشتر است. به علاوه محاسبات چگالی جریان نتایج مذکور را تایید نموده و میزان چگالی جریان مولفه­های پراکنده شده فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون کمتر است. CP - IRAN IN - West tehran branch islamic azad university LG - eng PB - ijcse PG - 82 PT - Research YR - 2022