نشریه علم و مهندسی سرامیک
دوره 11، شماره 1 - ( بهار 1401 )
جلد 11 شماره 1 صفحات 36-22 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
salehi H, Mousavinezhad, N, Amiri P. Ab initio study of the Surface Passivation influence on electronic and optical Properties of (001) SbNSr3 anti-perovskite Surface. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2022; 11 (1) :22-36
URL: http://ijcse.ir/article-1-789-fa.html
URL: http://ijcse.ir/article-1-789-fa.html
صالحی حمدا..، موسوی نژاد نرگس السادات، امیری پیمان. بررسی ابتدا به ساکن اثر خنثی کردن سطح بر ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی سطح (001) پادپروسکایت SbNSr3. علم و مهندسی سرامیک. 1401; 11 (1) :22-36
1- دانشگاه شهید چمران اهواز ، salehi_h@scu.ac.ir
2- دانشگاه شهید چمران اهواز
2- دانشگاه شهید چمران اهواز
چکیده: (2375 مشاهده)
در این مقاله ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی ترکیب SbNSr3 در حالت سطح در راستای [001] بلور و اثر خنثی کردن سطح بر ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی آن برای دو پایانۀ SbSr و NSr2 مورد بحث و بررسی قرار گرفت. محاسبات بر پایۀ نظریۀ تابعی چگالی و روش شبه-پتانسیل با امواج تخت انجام شد. جهت محاسبات پتانسیل تبادلی همبستگی از تابعی هیبریدی HSE استفاده شد. محاسبات سطح با در نظرگرفتن ابرسلول‌های تتراگونال، شرایط مرزی دوره‌ای، میزان خلأ کافی و کمینه نیروهای وارد بر اتم‌ها انجام گرفت. نتایج محاسبات الکترونی نشان داد در سطح منفعل نشده برخلاف ماهیت نیم‌رسانایی حالت انبوهۀ ترکیب، حالت‌های الکترونی در مجاورت سطح فرمی مشاهده می‌شود. پیوندهای فعال سطح با جذب اتم‌های هیدروژن بر روی سطح اشباع و حالت‌های الکترونی در نزدیکی سطح فرمی حذف شدند که به باز شدن گاف نواری در هر دو پایانه منجر شد. گاف نواری محاسبه شده برای پایانه‌های SbSr و NSr2 به ترتیب 808/0 و 029/1 الکترون ولت به دست آمد. ویژگی‌های اپتیکی سطح SbNSr3 در دو حالت خنثی نشده و خنثی شده مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد در هر دو پایانه، خنث کردن سطح که باعث از بین رفتن حالت‌های الکترونی سطح می‌شود، به افزایش گاف اپتیکی منجر می-شود. گاف اپتیکی محاسبه شده در هر دو حالت سطح خنثی نشده و خنثی شده برای نور فرودی عمود بر سطح (z) بزرگ‌تر از راستای موازی با سطح (x) به دست آمد. در توافق با نتایج الکترونی گاف اپتیکی پایانۀ SbSr کم‌تر از پایانۀ NSr2 محاسبه شد. هم‌چنین مشاهده شد با خنثی کردن سطح ثابت دی‌الکتریک استاتیک در هر دو پایانه کاهش می‌یابد و در راستای z ثابت کم‌تر از راستای x است.
واژه‌های کلیدی: نظریۀ تابعی چگالی، SbNSr3، ساختار سطح، خنثی کردن سطح، ویژگی های الکترونی، ویژگی های اپتیکی.
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميک‌هاي زیستی (بیوسرامیک‌ها)
دریافت: 1399/8/5 | پذیرش: 1400/9/8
دریافت: 1399/8/5 | پذیرش: 1400/9/8
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |