Parvin N, Kheyrinia L, Baharvandi H R. Fabrication the effect of graphene quantum dots and TiB2 on the mechanical and physical properties of SiC/TiB2/GQD composite.. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2024; 13 (2) :46-58
URL:
http://ijcse.ir/article-1-997-fa.html
پروین نادر، خیری نیا لاله، بهاروندی حمیدرضا. بررسی تاثیر نقاط کوانتومی گرافن و دی بوراید تیتانیم بر خواص فیزیکی و مکانیکی کامپوزیت SiC/TiB2/GQD. علم و مهندسی سرامیک. 1403; 13 (2) :46-58
URL: http://ijcse.ir/article-1-997-fa.html
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، nparvin@aut.ac.ir
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
3- دانشگاه صنعتی مالک اشتر
چکیده: (312 مشاهده)
این پژوهش به تولید کامپوزیتهای زمینه سرامیکی دما بالای پایه کاربید سیلیسیم میپردازد و امکان استفاده همزمان افزودنیهای دی بورید تیتانیم و نقاط کوانتومی گرافن (GQD) را در راستای افزایش ویژگیهای مکانیکی و الکتریکی مورد بررسی قرار میدهد. هدف از این پژوهش، تولید کامپوزیتهای زمینه کاربید سیلیسیم با خواص مکانیکی بالا همچون سختی، چقرمگی شکست، چگالی و مدول یانگ بالاتر نسبت به کاربید سیلیسیم خالص میباشد. نمونهها با مقادیر مختلف از افزودنیها و نیز مقدار متناسب از پودر زمینهی کاربید سیلیسیم تهیه و تحت عملیات سینتتر در دمای 2150 درجه سانتیگراد قرار گرفتند. در ادامه با بررسیهای ریزساختاری، فازی، شکستنگاری و خواص مکانیکی شرایط بهینه برای تولید این کامپوزیتها تعیین شد. طبق نتایج، با افزایش TiB2 تا حدود 20 درصد وزنی سختتی کامپوزیت افزایش مییابد و به حداکثر مقدار خود یعنی 15/27 گیگاپاسکال میرسد. بالاترین میزان چقرمگی شکست، مدول یانگ و سختی برای نمونهی حاوی 20درصد وزنی TiB2 و 3/0 درصد وزنی GQD حاصل شد.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
روشهای نوین فرآوری و ساخت سرامیکها دریافت: 1404/8/11 | پذیرش: 1404/9/26