1- دانشگاه صنعتی مالک اشتر 2- دانشگاه صنعتی مالک اشتر ، nnshosseini@mut.ac.ir
چکیده: (1053 مشاهده)
در این پژوهش اثر ولتاژ بایاس بر تغییرات ساختاری لایه نازک کربن شبه الماس ایجاد شده توسط فرایند رسوبدهی پرتو یونی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور، پارامتر ولتاژ بایاس در مقادیر V0، V50- ، V100- و V150- روی زیرلایه آلیاژ آلومینیوم AA5083 در نظر گرفته شد. جهت ارزیابی تغییرات ساختاری از طیفسنجی رامان استفاده شد.همچنین جهت تاثیر ولتاژ بایاس بر ضخامت و زبری سطح پوششهای اعمالی، از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) نیز استفاده گردید. سختی و مدول الاستیک توسط آزمون نانوسختیسنجی اندازهگیری شد. نتایج آنالیز رامان نشاندهنده بیشترین میزان پیوندهای sp3 در لایه نازک کربن شبه الماس در ولتاژ بایاس V50- بود و با افزایش ولتاژ بایاس، مقدار پیوندهای sp3 کاهش پیدا کرد. نتایج آنالیز AFM گویای کمترین میزان زبری سطح لایه (nm 10) در ولتاژ بایاس V50- بود. با توجه به این که میزان پیوندهای sp3 در ولتاژ بایاس V50- در حداکثر مقدار خود قرار داشت، سختی در این مقدار ولتاژ بایاس نیز نسبت به ولتاژهای دیگر بالاتر و برابر GPa 1/14بود.
sarvari M, hosseini S H, Ebrahimi Fordoei M, mersagh dezfuli S. Effect of bias voltage on structural and mechanical characteristics of diamond-like carbon thin film applied by ion beam deposition. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2022; 11 (2) :58-69 URL: http://ijcse.ir/article-1-834-fa.html
سروری مسعود، حسینی سید حجت اله، ابراهیمی فردوئی محمدرضا، مرساق دزفولی سعید. بررسی اثر ولتاژ بایاس بر مشخصه‌های ساختاری و مکانیکی لایه نازک کربن شبه الماس اعمال شده توسط فرایند رسوبدهی پرتو یونی. علم و مهندسی سرامیک. 1401; 11 (2) :58-69
.png)
.jpg)
