دوره 12، شماره 1 - ( 3-1402 )                   جلد 12 شماره 1 صفحات 11-1 | برگشت به فهرست نسخه ها

‎ 20.1001.1.23222352.1401.12.0.1.4

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
salehi H, Ebrahimi N. Ab-initio Calculation of Structural and Electronic Properties of Topological Insulator SnBi2Te4. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2023; 12 (1) :1-11
URL: http://ijcse.ir/article-1-914-fa.html
صالحی حمدا..، ابراهیمی ناصر. محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب SnBi2Te4. علم و مهندسی سرامیک. 1402; 12 (1) :1-11

URL: http://ijcse.ir/article-1-914-fa.html

محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب SnBi2Te4
حمدا. . صالحی* 1، ناصر ابراهیمی2
1- دانشگاه شهید چمران اهواز ، salehi_h@scu.ac.ir
2- دانشگاه شهید چمران اهواز
چکیده:   (1242 مشاهده)
در این تحقیق ویژگی‌های الکترونی و ساختاری عایق توپولوژی SnBi2Te4 در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل با بسته نرم افزاری Wien2k محاسبه شده است. گاف نواری انبوهه با تقریب PBE  برابر با 0.36 الکترون‌ولت و با تقریب  LDA برابر با 0.22 الکترون‌ولت به دست آمده است و نشان می دهد که این ماده می‌تواند برای کاربردهای الکترونیکی در دمای اتاق مناسب باشد. نتایج به دست آمده با دیگر داده‌های موجود سازگاری دارد.
 
واژه‌های کلیدی: عایق توپولوژی، نظریۀ تابعی چگالی، گاف نواری
متن کامل [PDF 1855 kb]   (212 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: سراميک‌های مورد استفاده در محيط زیست، آب و انرژی
دریافت: 1401/6/11 | پذیرش: 1402/9/27
ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA
ارسال پیام به نویسنده مسئول

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.