[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: صفحه اصلي :: درباره نشريه :: جستجو :: ثبت نام :: ارسال مقاله :: تماس با ما ::
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
اطلاعات نشریه::
درباره نشریه
اهداف و زمینه‌ها
آیین نامه نشریه
مجوز و امتیاز
هیات تحریریه
داوران نشریه
اخبار نشریه
ISC
ISSN
COPE
فرایند پذیرش مقالات
آرشیو مجله و مقالات::
آرشیو مقالات
فایل کامل مجلات
مقالات آماده انتشار
ضوابط و قوانین نشریه::
فرم تعهدنامه
فرم تعارض منافع
اصول اخلاقی انتشار مقاله
فرم cope
برای نویسندگان::
راهنمای نگارش مقاله
راهنمای ارسال مقاله
فرم ارسال مقاله
فرم تعهدنامه
فرم تعارض منافع
فرم COPE
شرایط ارسال مقاله
فرایند بررسی مقالات
روند رسیدگی به شکایات
برای داوران::
راهنمای داوران
داوران نشریه
نحوه ثبت نام در Publons
ثبت نام و اشتراک::
اطلاعات ثبت نام
فرم ثبت نام
mertics::
تسهیلات پایگاه::
راهنمای صفحات
جستجو در پایگاه
صفحه پرسش‌های متداول
متفرقه
اطلاع‌رسانی به دوستان
پایگاه های نمایه کننده::
تماس با ما::
اطلاعات تماس
فرم برقراری ارتباط
::
سامانه همانندجو ایرانداک
سامانه همانندجو ایرانداک
..
شبکه های اجتماعی

..
DOR
شناسه دیجیتال اشیا 
Digital Object Recognizer (DOR)
..
رتبه علمی نشریه







 
..
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
:: دوره 12، شماره 1 - ( 3-1402 ) ::
جلد 12 شماره 1 صفحات 11-1 برگشت به فهرست نسخه ها
محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب SnBi2Te4
حمدا. . صالحی* 1، ناصر ابراهیمی2
1- دانشگاه شهید چمران اهواز ، salehi_h@scu.ac.ir
2- دانشگاه شهید چمران اهواز
چکیده:   (811 مشاهده)
در این تحقیق ویژگی های الکترونی و ساختاری عایق توپولوژی SnBi2Te4 در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل با بسته نرم افزاری Wien2k محاسبه شده است. گاف نواری انبوهه با تقریب PBE  برابر با 36/0 الکترون‌ولت و با تقریب  LDA برابر با 22/0 الکترون‌ولت به دست آمده است و نشان می دهد که این ماده می‌تواند برای کاربردهای الکترونیکی در دمای اتاق مناسب باشد. نتایج به دست آمده با دیگر داده های موجود سازگاری دارد.
 
واژه‌های کلیدی: عایق توپولوژی، نظریۀ تابعی چگالی، گاف نواری
متن کامل [PDF 1855 kb]   (77 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: سراميک‌های مورد استفاده در محيط زیست، آب و انرژی
دریافت: 1401/6/11 | ویرایش نهایی: 1402/9/11 | پذیرش: 1401/9/27 | انتشار: 1402/3/10
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA

XML   English Abstract   Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
salehi H, Ebrahimi N. Ab-initio Calculation of Structural and Electronic Properties of Topological Insulator SnBi2Te4. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2023; 12 (1) :1-11
URL: http://ijcse.ir/article-1-914-fa.html
صالحی حمدا..، ابراهیمی ناصر. محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب SnBi2Te4. علم و مهندسی سرامیک. 1402; 12 (1) :1-11

URL: http://ijcse.ir/article-1-914-fa.html
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.
دوره 12، شماره 1 - ( 3-1402 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه علم و مهندسی سرامیک Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 41 queries by YEKTAWEB 4624