salehi H, Ebrahimi N. Ab-initio Calculation of Structural and Electronic Properties of Topological Insulator SnBi2Te4. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2023; 12 (1) :1-11
URL:
http://ijcse.ir/article-1-914-fa.html
1- دانشگاه شهید چمران اهواز ، salehi_h@scu.ac.ir
2- دانشگاه شهید چمران اهواز
چکیده: (1498 مشاهده)
در این تحقیق ویژگیهای الکترونی و ساختاری عایق توپولوژی SnBi2Te4 در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل با بسته نرم افزاری Wien2k محاسبه شده است. گاف نواری انبوهه با تقریب PBE برابر با 0.36 الکترونولت و با تقریب LDA برابر با 0.22 الکترونولت به دست آمده است و نشان می دهد که این ماده میتواند برای کاربردهای الکترونیکی در دمای اتاق مناسب باشد. نتایج به دست آمده با دیگر دادههای موجود سازگاری دارد.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميکهای مورد استفاده در محيط زیست، آب و انرژی دریافت: 1401/6/11 | پذیرش: 1402/9/27