|
محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب SnBi2Te4
|
| حمدا. . صالحی*1، ناصر ابراهیمی2 |
1- دانشگاه شهید چمران اهواز ، salehi_h@scu.ac.ir
2- دانشگاه شهید چمران اهواز |
|
|
چکیده: (623 مشاهده) |
در این تحقیق ویژگی های الکترونی و ساختاری عایق توپولوژی SnBi2Te4 در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل با بسته نرم افزاری Wien2k محاسبه شده است. گاف نواری انبوهه با تقریب PBE برابر با 36/0 الکترون‌ولت و با تقریب LDA برابر با 22/0 الکترون‌ولت به دست آمده است و نشان می دهد که این ماده می‌تواند برای کاربردهای الکترونیکی در دمای اتاق مناسب باشد. نتایج به دست آمده با دیگر داده های موجود سازگاری دارد.
|
|
| واژه‌های کلیدی: عایق توپولوژی، نظریۀ تابعی چگالی، گاف نواری |
|
|
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميک‌های مورد استفاده در محيط زیست، آب و انرژی
دریافت: 1401/6/11 | ویرایش نهایی: 1401/9/27 | پذیرش: 1401/9/27
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
